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公司电池事业部氮化硅薄膜沉积工艺取得突破

公司电池事业部氮化硅薄膜沉积工艺取得突破

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日前,通过对工艺技术的创新研发和反复实验,公司太阳能电池PECVD工序取得了关键技术突破,研发出沉积三层氮化硅膜的最优工艺条件,电池片转化效率有0.07%—0.1%的提升,现已导入产线批量生产。
  实验结果表明,三层氮化硅薄膜的互补作用对电池片起到了很好的减反射效果,第一层氮化硅膜厚在10nm左右,折射率在2.4—2.6之间,起到了很好的钝化作用,第二层氮化硅膜厚在30nm左右,折射率在2.0—2.2之间,第三层膜厚在45nm左右,折射率在2.0以内,三层膜系结构设计可使入射的太阳光在电池内多次折射,最大程度地增加了对光的吸收,显著降低了电池表面的光反射,同时,在实验的过程中将三层氮化硅薄膜沉积工艺改为间断性沉积后,氮化硅薄膜平均等效厚度在80—85nm,等效折射率为2.08—2.15,平均反射率降低了2%,相比两层膜的连续性沉积工艺大大提升了氮化硅膜的致密性,提高了氮化硅膜对电池片的钝化效果,增大了电池片的开路电压和短路电流,从而既显著提高了电池片的转换效率,又极大地改善了原来两层膜工艺出现的色差问题。
  公司电池事业部工艺技术研发团队坚持高标准、严要求的工作理念,聚焦太阳能电池生产工艺前沿技术不懈进行科技创新,持续攻关关键技术,依托公司拥有的当今国际光伏行业最先进的全自动生产线,持续对电池产线各道工序进行工艺优化、技术升级,例如5主栅高效单/多晶电池片,无网结技术导入等等,从而使得转换效率达到国内一流水平,各项性能指标达到业内第一,得到国内外客户的广泛认可,赢得了良好口碑。